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功率半导体的家族又迎来了新的上市公司，他是新的清洁能源( 605111 )。 同样细分行业国内的领导，今天从基本面理解。
无锡新洁能是国内功率半导体芯片和器件设计的龙头。 主要经营功率半导体芯片和器件的开发、设计和销售。 企业深耕半导体功率器件领域是国内最早从事mosfet、igbt研究开发设计的公司之一，具备独立的芯片设计能力和自主工艺设计平台。
新洁具备完全的mosfet产品矩阵，技术实力和销售规模在国内领先。 企业根据世界半导体功率器件先进理论技术开发引线产品，是国内第一家掌握超结理论技术，批量生产屏蔽栅极功率mosfet和超结功率mosfet的公司之一。 是国内最早拥有沟槽型功率mosfet、超结功率mosfet、屏蔽栅极功率mosfet及igbt四大产品平台的国内公司之一。 企业现在成长为国内8英寸先进技术平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计企业之一，是国内唯一完全基于8英寸芯片技术平台开发设计mosfet和igbt产品的功率半导体设计级李 -2019年连续4年跻身中国半导体功率器件10强公司。
根据ihs数据，、、年，企业mosfet分别占国内市场份额2.88%、2.83%、3.65%，市场份额逐渐提高，在英飞凌( infineon )、安森美( onsemiconductor )、瑞萨电
除了子公司( renesaselectronics )等9家外资企业品牌外，还销售国内顶尖的mosfet研究开发设计和国内企业。
企业产品根据是否封装可以分为芯片和功率器件两类。 企业主要负责设计方案，制造和包装委托外部公司。 企业是国内8英寸先进工艺平台芯片投片量最大的功率器件设计企业之一。 目前企业初步完成了先进的包装测试生产线建设，具有少量的包装能力。
企业产品种类齐全，下游应用行业广泛。 现在主要产品包括12v~200v沟槽型功率mosfet、30v~300v屏蔽栅极功率mosfet、500v~900v超结功率mosfet和600v~1350v沟槽栅极截止型igbt，下游的应用行业包括电子、
新技术行业目前拥有“高浪涌电流能力碳化硅二极管”、“高耐压碳化硅肖特基二极管”等多项相关专利，积极推进“sic肖特基二极管技术”、“氮化镓功率hemt工艺”等研究开发项目，
高管和科研小组:
核心管理和科研团队都有多年的电力半导体研发、管理经验，许多人有国内半导体领导公司的相关经验，起点高，实力强，为企业成立后的快速增长奠定了坚实的基础。
控股股东、实际控制人朱袁正直接拥有企业23.34%的股权(并且朱袁正分别与叶鹏、王成宏等共计10名股东签订了关于一致行动的协议)。 。 朱元正也是企业技术创新的领导者，在半导体领域有30年以上的研究和经验，是国内mosfet等半导体功率器件行业的研究和产业化的经验者和先驱。 以此为领导的企业研究开发团队是国内最早集中于8英寸的晶片工艺平台进行mosfet、igbt等先进半导体功率器件的技术开发和产品设计的先驱之一，在这个行业中有足够的技术能力和丰富的研究
截至2005年1月19日，企业拥有97项专利，其中发明专利35项，实用新型59项，外观设计3项。
对于客户:
企业通过强大的产品技术、丰富的产品种类和优良的产品质量，已经供应给许多下游细分行业的领先客户。 功率器件领域的上下游产业链之间有高度的粘性，下游的应用领域对产品质量和供应商的选定有严格的要求，一旦测试、认证、规模化采用选择的功率器件产品就不能简单地交换。 随着企业品牌知名度的提高，有望在将来国产替代的大趋势下实现高速增长。
财务报告业绩:
2019企业收益7.9%亿元，比上年同期增加7.9%。 h1实现营业收入3亿8400万元，比上年同期增长17.0%。 2019年企业受到中美贸易摩擦、功率半导体领域竞争加剧、8英寸晶片代理价上涨等因素的影响，销售毛利率和纯利率下降，实现净利润9821万元，同比减少30.6%。 h1、企业利润率回升，实现净利润5534万元，同比上涨47.8%，业绩反弹增长。
企业功率器件和芯片的收益占有率分别为76%和24%，占功率器件收益的比例呈逐年上升趋势。 随着企业功率器件细分模式的丰富、品牌曝光度的提高和资金实力的增强，企业积极提高mosfet器件的销售占有率，从而获得越来越多的利润。
领域趋势:
分立元件领域是半导体产业的重要分支，也是电气电子产品的基础之一。 主要用于电力电子设备的整流、稳定化、开关、搅拌机等，具有应用范围广、使用量多等优点，包括电子、汽车电子、电子设备仪表、工业及自动控制、计算机及外围设备、网络通信等众多国民经济行业
根据ihsmarkit数据，全球功率器件市场规模约为391亿美元，预计到2021年市场规模将增加到441亿美元，cagr将增加到4.1%，其中mosfet和igbt将成为今后5年增长最快的功率器件
功率器件已经发展了几代人。 2008年，英飞凌( infineon )首次发布屏蔽栅极功率mosfet，进一步提高了半导体功率器件的性能。
在国内市场，功率二极管、功率晶体管、晶闸管等分立部件产品大部分被国产化，但mosfet、igbt等分立部件产品由于其技术和技术的先进性，很大程度上依赖于进口，将来的进口代
目前国内电力半导体产业链越来越完善，技术也在突破。 中国也是世界上最大的功率半导体消费国，年市场诉求规模达到138亿美元，增长率9.5%，世界诉求比例达到35%。 预计将来中国的功率半导体将继续保持高速增长，2021年的市场规模将达到159亿美元，年化增长率将达到4.8%。
从技术实现和战术诉求两个立场出发，动力器件制造商有望加快实现国产化替代，领域前景长期良好。
1、战术诉求端，功率器件是重要的核心部件。 参照“制造2025”技术路线图，先进的轨道交通装备、节能和新能源汽车、电力装备、高级数控机床和机器人等已经被列为突破快速发展的十个关键行业。 功率半导体在以上重点行业具有重要作用，需要自主控制，战术地位突出。
2、从技术的角度来看，功率器件比ic更偏向于成熟、标准化的产品，而不是依靠先进的工艺来追求，其产品竞争力主要取决于工艺和生产线的水平。 随着国内半导体分立元件制造商参与国际市场的供应体系，下游领域大力创新上游分立元件领域的驱动，中国的半导体分立元件领域已经大大迅速发展，形成了对海外产品的替代。
总体来说，企业mosfet产品矩阵是完整、技术领先、能开发设计和批量生产国内少数先进屏蔽栅极mosfet和超级结mosfet的制造商之一。 企业集中于研究开发，利用招聘项目进行“超低能量高可靠性半导体功率器件的研究开发升级和产业化”和第三代半导体功率器件项目的建设，为企业产品的高端化和长时间的快速发展奠定基础 创业初期使用fabless模型运营，将有限的资源投入到研究开发中，实现了迅速的成长。 现阶段企业开始自行建设密封生产线，加强功率半导体核心密封环节的控制，有利于与设计环节的协同优化，为企业长时间的快速发展提供保障。
资料来源:好股票
作者:秦亮
执行证编号: a0680616110002
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