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近日，复旦大学微电子学院教授张伟、周鹏研制出颠覆性的二维半导体准非易失性存储器原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中的“写入速度”和“非易失性”难题。最近，相关成果发表在《自然纳米技术》在线版上，标题为“用于准非易失性应用的范德瓦尔斯结构半浮栅存储”。
目前，半导体电荷存储技术主要有两种类型。第一种是易失性存储器，如计算机存储器，它可以在几纳秒左右的时间内写入数据，但断电后数据会立即消失；第二种是非易失性存储器，例如u盘，它需要几微秒到几十微秒来保存数据，但是在写入数据之后，它可以保存10年而不需要额外的能量。
新的电荷存储技术可以实现全新的第三种存储特性:写入速度比目前的u盘快10000倍，数据刷新时间是存储技术的156倍，并且具有良好的调控能力，可以根据数据有效时间要求实现存储结构的设计。它不仅满足10纳秒的数据写入速度，而且实现了按需定制的可调数据(10秒-10年)的准非易失性特性；它不仅可以大大降低高速存储器的存储功耗，还可以实现数据过期后的自然消失，从而解决了一些特殊应用场景中保密性和传输性之间的矛盾。
